IXYS Corporation艾赛斯半导体 提供电源管理半导体产品

IXYS Corporation艾赛斯半导体 是一家提供电源管理半导体产品以及全系列功率MOSFET、IGBT、双极和混合信号IC解决方案，可以为各种电源系统应用提高效率，降低能源成本。从事功率半导体器件,混合信号集成电路,特殊应用集成电路,以及系统和无线电射频功率半导体器件设计,开发,制造和营销。 艾赛斯半导体  IXYS是一家硅谷功率半导体公司，自一九八三年来一直致力于开发技术驱动型产品，IXYS提供种类齐全的大功率半导体产品，能够大功率应用需求。IXYS 有着过 2,500多家电信、运输、工业、医疗设备和消费电子公司的客户群，是半导体提供商。作为替代能源和再生能源行业，IXYS专注于将风能和太阳能转换为电能并接入美国电网所需功率半导体力的供应。 IXYS 及其附属公司提供各种各样的针对全球电源转换、电气效率和再生能源需求的产品组合。IXYS 提供功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极晶体管（IGBT）。 IXYS 设计光学隔离式固态继电器、混合信号定制 ASIC 和 ASSP 集成电路。IXYS 的 LED 驱动器产品包括用于小、中、大型显示屏背光照明的电容型 DC-DC（充电泵）、电感型 DC-DC（升压) 和低压降线性 LED驱动器IC。近年来IXYS通过并购Zilog公司后推出了可实现数字电源管理和嵌入式控制的MCU，IXYS是早的功率半导体芯片供应商之一，控制风电向电网的高电压转换。IXYS是射频和微波分立半导体产品、GaA 肖特基二极管、MOSFET 驱动器 IC、无线放大器产品制造商

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N1718NC200胶囊型相位控制晶闸管

电压为2000V，经过优化可实现低导通损耗，采用W11封装类型。

MDMAxYD双晶闸管二极管

1.04V至1.05V电压范围、210A或280A额定电流以及4800V隔离电压额定值。

MCNAxxYA/YB双晶闸管二极管

具有1.18V至1.19V电压范围、150A至220A电流范围以及4800V隔离电压。

MCMAxYA/YB双极模块双晶闸管二极管

具有1.06V至1.12V电压范围、160A至260A电流范围以及长期稳定性。

MDNA700P2200CC高压整流器模块

改进的温度和功率循环、采用DCB陶瓷的ComPack封装、行业标准外形。

STS802U2SRP 1.5A敏感型双通道SCR

具有高静态dv/dt，关断时间 (tq) 短，浪涌能力高达20A。

STP802U2SRP 1.5A敏感型双通道

高静态dv/dt，关断时间 (tq) 短，导通电流为1.5ARMS。

X3级HiPerFET™功率MOSFET

N沟道、增强模式、耐雪崩MOSFET。

IXYS STP802U2SRP 1.5A敏感型双通道

高静态dv/dt，关断时间 (tq) 短，导通电流为1.5ARMS。

IXYS STS802U2SRP 1.5A敏感型双通道SCR

具有高静态dv/dt，关断时间 (tq) 短，浪涌能力高达20A。

IXYS MDNA700P2200CC高压整流器模块

改进的温度和功率循环、采用DCB陶瓷的ComPack封装、行业标准外形。

IXYS 高侧与低侧栅极驱动器IC

该IC具有600mA/290mA至4.5A/4.5A灌/拉输出电流能力。

IXYS IX4超结功率MOSFET

耐雪崩、N沟道增强模式MOSFET，具有200V漏极-源极击穿电压。

IXYS 栅极驱动器（用于N沟道MOSFET和IGBT）

包括高压高速栅极驱动器和&三相栅极驱动器IC，工作电压高达 600V。

IXYS IXFxN60X X3级HiPerFET™功率MOSFET

具有同类佳的品质因数、低导通和开关损耗

IXYS X3级HiPerFET™功率MOSFET

N沟道、增强模式、耐雪崩MOSFET。

IXYS XPT™ GenX5™沟槽式IGBT

第5代沟槽式IGBT，具有方形反向偏置安全工作区和650V击穿电压。

IXYS LSIC1MO170E0750 N沟道SiC MOSFET

750mΩ n沟道MOSFET，优化用于高压、高频和高效应用。

IXYS Sx02CSx Teccor® 1.25A敏感型SCR

为相位控制应用提供出色的单向开关。

IXYS S802xSx EV系列1.5A敏感型SCR

SCR提供高静态dv/dt，关断时间(tq)短。

IXYS LSIC1MO120G0x N沟道SiC MOSFET

1200V漏源额定电压、25mΩ至160mΩ电阻范围以及14A至70A电流。

IXYS LSIC1MO170T0750 N沟道SiC MOSFET

1700V SiC MOSFET，具有11nC栅极电荷、29Ω栅极电阻和750mΩ导通电阻。

IXYS MCMA65P1800TA和MCMA110P1800TA晶闸管模块

双相脚晶闸管，用于线路频率，采用行业标准TO-240AA封装。

IXYS IXT 200V X4超结功率MOSFET

N通道器件，具有10.6mΩ、13mΩ或21mΩ导通电阻 (RDS(on)) 和200V大漏源电压。

IXYS IXTQ34N65X2M和IXTQ48N65X2M X2级功率MOSFET

具有650V漏源击穿电压和34A或48A连续漏极电流。

IXYS IXGA20N250HV高压IGBT

方形RBSOA、10μs短路能力，具有2500V VCES、12A IC110和3.1V VCE(sat)。

IXYS MDMA120U1600VA标准整流器模块

一款1600V三路整流器桥，采用V1-A-Pack封装，具有改进的温度和功率循环。

IXYS CLA100E1200TZ高效晶闸管

具有长期稳定性，提供1200V反向重复电压和100A正向电流。

IXYS IXBx14N300HV反向导通BiMOSFET™ IGBT

3000V、14A器件，结合了MOSFET和IGBT的优势。

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™沟槽式IGBT

具有超低Vsat，设计用于切换高达5kHz。

IXYS CPC1561B固态继电器

固态继电器，集成了电流限制和热关断功能。

IXYS X2级功率MOSFET（采用TO-220和TO-252封装）

具有600V额定击穿电压、14A连续漏极电流和250mΩ电阻。

IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT

开关 频率高达5kHz，根据降低导通损耗的要求进行优化。